Транзистор IGBT H20R1202 TO-247

Кремниевый биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ / IGBT) n-канал. Выпускается в пластиковом корпусе TO-247.

Технические характеристики:
Напряжение коллектор-эмиттер, В	1200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер	±20
Постоянный ток коллектора, А	20
Рассеиваемая мощность коллектора, Вт	330
Пороговое напряжение затвор-эмиттер, В	5,8
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	1,55
Время нарастания, нс	53
Максимальная температура перехода, Tj,max, °С	175
Маркировка	H20R1202
Корпус	PG-TO-247-3-21

Технические характеристики:
Напряжение коллектор-эмиттер, В	1200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер	±20
Постоянный ток коллектора, А	20
Рассеиваемая мощность коллектора, Вт	330
Пороговое напряжение затвор-эмиттер, В	5,8
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	1,55
Время нарастания, нс	53
Максимальная температура перехода, Tj,max, °С	175
Маркировка	H20R1202
Корпус	PG-TO-247-3-21

Описание