Модуль IRF520 силовой ключ с полевым транзистором

Модуль IRF520 представляет собой силовой ключ с полевым транзистором. Он позволяет замыкать и размыкать цепь с большим постоянным напряжением и током. Этот транзистор может коммутировать токи до 9 А при напряжении на управляющем входе 5 В. Также модуль может управлять нагрузкой с использованием широтно-импульсной модуляции. Благодаря этой возможности с помощью модуля можно регулировать скорость электродвигателей, яркость светодиодов и т.д.

Плата собрана на МОП-транзисторе IRF520 (MOSFET). IRF520 является полевым транзистором с изолированным затвором и напряжением насыщения 2 - 4 В, что даёт возможность управлять им напрямую от пятивольтовой логики. При поступлении на затвор силового ключа напряжения 5 В, он открывается и включает нагрузку. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии составляет всего 0,27 Ом, поэтому рассеиваемая мощность на самом транзисторе минимальна. Максимальное коммутируемое напряжение может достигать 100 В, а ток нагрузки до 9 А. При рассеиваемой мощности на кристалле более 1 Вт, придётся установить теплоотвод в виде радиатора. Радиатор крепится к корпусу транзистора. Для примера, 1 Вт на транзисторе будет рассеиваться при напряжении 24 В и сопротивлении нагрузки 6,2 Ом или мощности нагрузки 89 Вт.

Для подключения нагрузки к модулю используются винтовые клеммники. На плате уже выполнена вся разводка и на один клеммник подаётся напряжение от источника питания коммутируемой нагрузки, а ко второму подключается сама нагрузка. Управление производится через трёхконтактный штыревой разъём у которого используются только два крайних контакта.

Подключение:

SIG:	сигнальный провод (затвор)
VCC:	не используется
GND:	общий провод (земля)
V+:	положительный провод нагрузки
V-:	отрицательный провод нагрузки
VIN:	положительный провод источника питания для нагрузки
GND:	отрицательный провод источника питания для нагрузки

Светодиод подключен к линии SIG через резистор 1 кОм и включается при поступлении на вход логической "1". Второй резистор, подключенный между затвором и истоком обеспечивает гарантированное закрытие транзистора при отключенном входе. 

Технические характеристики:

Максимальное напряжение коммутации, В	100
Максимальный ток коммутации, А	9
Сопротивление открытого канала, Ом	0,27
Напряжение насыщения затвор-исток, В	4
Габаритные размеры, мм	33 × 29 × 24
Масса, г	9