Фоторезистор GL5539 5 мм Rd=50-100K

Фоторезистор GL5539 полупроводниковый на основе фоточувствительных элементов из сульфида кадмия для регистрации излучения видимого диапазона длин волн от 300 до 850 нм. Предназначен для применения в качестве приёмника и датчика оптического излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, систем фотоэлектрической автоматики и телемеханики, счётно-измерительных и экспонометрических приборов. Используется для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного токов электронной аппаратуры общего назначения.

   

Фоторезистор выпускается в негерметизированном бескорпусном исполнении с однонаправленными выводами и допускает эксплуатацию при температуре окружающей среды от -30 до +70 °С.

Технические характеристики:

Темновое сопротивление, кОм	50-100
Максимальное напряжение, В	150
Рассеиваемая мощность, мВт	100
Диапазон рабочих температур, °С	-30 ... +70
Масса, г	1